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AO3400A

AO3400A

  • 厂商:AOS万代
  • 批号:22+
  • 封装:SOT-23
  • 价格:低于同行,欢迎询价!
  • 产品简介:采用先进的沟槽MOSFET技术和低阻抗封装,以提供极低的RDS(ON)(即开启状态下的漏源电阻)

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产品介绍

技术参数:
品牌:AOS万代
型号:AO3400A
封装:SOT-23
批号:22+
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):630 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
基本产品编号:AO34
 
产品应用:
AOS万代型号AO3400A产品采用先进的沟槽MOSFET技术和低阻抗封装,以提供极低的RDS(ON)(即开启状态下的漏源电阻)。这款产品支持高达5.7安培的漏电流和1.4瓦的功耗,并通过100%的UIS测试(不受击穿保护测试)和100%的Rg测试(栅极电阻测试)来确保其可靠性。AO3400A的主要用途是应用在低功耗、高性能和高可靠性的场景中,例如开关电源、通用电源、电池管理、负载开关等领域。此外,该产品还具备实现多种功能的能力,如数据采集、信号处理、通信协议和人机交互等。以其出色的技术和性能,满足了对低功耗和高性能要求的应用场合。其低漏源电阻和高漏电流的特性使其在高压环境下保持良好的稳定性和可靠性。在开关电源、电池管理等应用领域,AO3400A展现出了优异的表现,为系统的稳定运行提供了有力支持。无论是数据采集、信号处理还是通信协议和人机交互等方面,AO3400A均表现出了高效的性能,使其成为众多应用中的理想选择。

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