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IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF

  • 厂商:Infineon英飞凌
  • 批号:22+
  • 封装:6-PQFN
  • 价格:低于同行,欢迎询价!
  • 产品简介:一款双通道的N沟道MOSFET,专为高压驱动和电流检测而设计

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产品介绍

技术参数:
品牌:英飞凌Infineon Technologies
型号:IRLHS6376TRPBF
封装/外壳:6-PQFN
年份:22+
系列:HEXFET®
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):270pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
基本产品编号:IRLHS6376

产品应用:
英飞凌Infineon Technologies的IRLHS6376TRPBF是一款双通道的N沟道MOSFET,专为高压驱动和电流检测而设计,主要应用于工业、汽车、医疗、通信等领域的电力转换系统。该MOSFET能够稳定且快速地提供驱动信号,实现高效且可靠的开关控制。其高压驱动和电流检测功能使其在需求高压驱动和电流监测的场景下表现优异。还能够实时提供电流反馈,实现过流保护和故障诊断,确保系统的安全性和稳定性。IRLHS6376TRPBF的双通道N沟道MOSFET特性使其成为各种电力转换系统的理想选择。不论是在工业控制、汽车电子、医疗设备还是通信设备领域,该器件均能发挥重要作用,为系统提供高效、可靠的功率开关控制和保护功能。

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