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MOS管的工作原理是什么

2023-08-05 14:04:25

MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS的英文全称是Metal-Oxide-Semiconductor，即金属-氧化物-半导体。这表示在特定结构的半导体器件上，加上金属和二氧化硅形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型衬底中形成的N型区。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使对调这两端也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

MOS管的工作原理：
MOS管的工作原理是基于N型硅衬底表面存在P型反型层沟道的特性。通过施加适当的栅压，可以使沟道的电阻增大或减小。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率较低，因此在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

它是利用栅极-源极电压（VGS）来控制“感应电荷”的数量，从而改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状态，以达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，因此在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷。这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也随之改变，导电沟道的宽度也相应变化，因此漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

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MOS管

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