技术参数:品牌:英飞凌Infineon Technologies
型号:IR2010STRPBF
封装/外壳:SOP-16
年份:22+
制造商:Infineon Technologies
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH:6V,9.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3A,3A
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):200 V
上升/下降时间(典型值):10ns,15ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
基本产品编号:IR2010
产品应用:IR2010STRPBF是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,配备独立的高低侧参考输出通道。其输出驱动器具备高脉冲电流缓冲阶段,专为实现最小的驱动器交叉传导而设计。传播延迟匹配,有助于简化在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动在高侧配置中运行的N-通道功率MOSFET或IGBT,其操作电压高达200伏特。
IR2010STRPBF主要应用领域包括转换器和直流电机驱动,特别适用于半桥BLDC电机驱动。由于具备高侧和低侧的门驱动能力,可以广泛用于各种需要此配置的电力电子应用。
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