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IRF3205STRLPBF

厂商：Infineon英飞凌
批号：23+
封装：TO-263
价格：低于同行，欢迎询价！
产品简介：表面贴装型 N 通道 55 V 110A（Tc） 200W（Tc） D2PAK

产品介绍

技术参数：
品牌：英飞凌Infineon Technologies
型号：IRF3205STRLPBF
封装/外壳：TO-263
年份：23+
制造商：Infineon Technologies
系列：HEXFET®
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 62A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：146 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3247 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：200W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
基本产品编号：IRF3205

产品应用：
IRF3205STRLPBF采用HEXFET®技术，具备高电压、高电流和低导通电阻等特性。该器件适用于多种应用，包括电机控制、灯具镇流器、静态交流电源开关等，以实现电力转换的高效、可靠和节能。也可广泛用于高频开关电源、直流-直流转换器、无刷直流电机驱动、同步整流器等场景，以提升系统性能并减低系统成本。
在太阳能逆变器方面，IRF3205STRLPBF是一个理想的选择，能够将太阳能电池板生成的直流电转换为交流电，以供电网或负载使用。在逆变器中，IRF3205STRLPBF可作为主开关，通过调节其导通时间和频率，实现对输出电压幅值和波形的控制。其高电压、高电流和低导通电阻的特性使逆变器能够达到高效率、高功率密度和低开关损耗的效果。

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IRF3205STRLPBF

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